• 美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国

• 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值

• 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用

德国慕尼黑2025年12月3日 /美通社/ -- 美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）拥有的一项氮化镓（GaN）技术专利1。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中所主张的两项专利皆具有法律效力2。本案的核心在于英诺赛科未经授权使用英飞凌受专利保护的GaN技术。委员会最终裁决预计将于2026年4月2日发布，若这项初步裁决最终获得确认，将导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国。

英飞凌科技高级副总裁、氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示："此次裁决再次印证了英飞凌知识产权的强大实力，也彰显了我们坚决捍卫专利组合、维护市场公平竞争的决心。我们将持续致力于推动创新与半导体技术进步，以应对全球最紧迫的挑战，推动从低碳化到数字化的转型。"

该裁决是又一项具有正面意义的结果，彰显了英飞凌对氮化镓技术所作贡献的价值。在德国并行的另一项相关诉讼中，德国专利局近期确认了英飞凌一项专利的有效性，并以略作修正的形式维持该专利。英飞凌正在慕尼黑地方法院对该专利提出侵权诉讼3。早在2025年8月，慕尼黑第一地区法院I（Landgericht München I）已裁定英诺赛科侵犯了英飞凌的另一项专利4。

英飞凌在氮化镓市场是领先垂直整合制造商（IDM），拥有行业内最广泛的知识产权组合，涵盖约450个氮化镓专利家族。氮化镓在实现高性能、高能效的功率系统中起着关键作用，其应用范围覆盖可再生能源系统、人工智能数据中心、工业自动化以及电动汽车（EV）等领域。凭借更高的功率密度、更快的开关速度以及更低的能耗，氮化镓半导体能支持更紧凑的设计，有效降低能耗和减少热量产生。作为功率系统的领导者，英飞凌在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这三种关键半导体材料领域都处于行业领先地位，并持续推动技术进步。

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[1] US 9,899,481

2 US 9,899,481 and US 9,070,755

3 DE102017100947

4 DE102014113465